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Powermanagement-ICs

Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit Galliumnitrid-Transistoren (GaN) hochgerüstet hat, präsentiert das Unternehmen nun zwei Bausteine mit 1700-V-Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC). Zielapplikation sind Stromversorgungen in Elektrofahrzeugen.

Analogtechnik

Der wichtigste Bestandteil in der digitalen Welt

Man könnte glauben, dass die vernetzte Welt ausschließlich digital ist. Doch die...

Programme sind online

BatteryWorld 2022 und Forum Power Architectures 2022

Mit BatteryWorld und Forum Power Architectures setzen wir die erfolgreiche...

Gate-Treiber von Infineon

EiceDRIVER speziell für GaN-HEMTs mit Schottky-Gate

Um die Performance ihrer CoolGaN-Leistungstransistoren in Systemlösungen zu verbessern,...

Produkte des Jahres 2022

Power

Für die Leserwahl »Produkte des Jahres 2022« sind zwölf Produkte aus der Kategorie...

Galliumnitrid (GaN)

ePower-Chipsatz von EPC soll Spannungswandlung neu definieren

ePower heißt eine Chipsatz-Familie von Efficient Power Conversion (EPC), die...

Toshiba

Neuartiges Mixed-Signal-Treiber-IC für SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs können die Verluste in leistungselektronischen Systemen deutlich...

Power Integrations

Referenzdesign für ultrakompaktes 100-W-USB-Ladegerät

Gerade einmal 117 Bauteile hat das 8,4 cm × 5,5 cm × 2,4 cm große Referenzdesign von...

Navitas Semiconductor

Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie

Marktführer Navitas hat seine dritte Generation an GaNFast-Power-ICs vorgestellt. Neu...

FOC- und Trapezregelung bei BLDC

Motortreiber mit Grips und Power

Texas Instruments bringt für bürstenlose Gleichstrommotoren (BLDC) 70-W-Treiber auf den...